G3S12002H
Global Power Technology-GPT
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Diskrete Halbleiter-Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Klemmen-magnetische Draht-Steckverbinder(3357)
- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
- Klemmen-Gehäuse, Stiefel(1891)
- Klemmen-Folie Steckverbinder(662)
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- Terminal-Streifen und Revolver-Boards(11368)
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- Anschlussblöcke-DIN-Schiene, Kanal(10920)
- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
- Anschlussblöcke-Barrier Blocks(44736)
- Anschlussblöcke-Adapter(449)
- Solid State Lighting Verbinder-Kontakte(2509)
- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
- Festkörperbeleuchtungsstecker(2295)
- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
- Steckdosen für ICs, Transistoren(2223)
- Shunts, Jumper(821)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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- Rechteckig - Brett zu Board -Steckern - Header, männliche Stifte(239)
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- Steckbare Steckverbinder(5229)
- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
- Photovoltaik (Solarpanel) Anschlüsse(365)
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- Modulare Steckverbinder-Stecker(2164)
- Modulare Steckverbinder-Stecker Gehäuse(3582)
- Modulare Steckverbinder-Buchsen mit magnetischen(4193)
- Modulare Steckverbinder-Buchsen(15464)
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Transformatoren
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Global Power Technology-GPT G3S12002H
| Artikelnummer: | G3S12002H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 1.2KV 7.3A TO220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.82 |
| 10+ | $3.432 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Global Power Technology-GPT G3S12002H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments G3S12002H.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-220F Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Full Pack Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 7.3A Kapazität @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz -
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